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10月28日, 2022
中國寬能隙半導體碳化矽主要廠商發展分析及對台商的影響
中國大陸於政策上持續加碼SiC產業鏈發展 十四五規劃中明確提出SiC、GaN寬能隙半導體發展計畫 2016年7月由中國大陸國務院所發布的「十三五國家科技創新規劃的通知」首次提及有關於第三代半導體技術與原件的研發相關內容，至此相關政府機構如國家發改委、科技部、商務部，相繼提出有關支持SiC寬能隙半導體的相關內容。 其中，在2021年3月份所發布的《中華人民共和國國民經濟和社會發展第十四個五
02月10日, 2023
8吋碳化矽晶圓量產進展與影響分析
碳化矽車用電子需求將帶動產能快速增長 碳化矽將在車用電子扮演重要角色 碳化矽（Silicon Carbide, SiC）與氮化鎵（Gallium Nitride, GaN）為近年快速發展的寬能隙化合物半導體，已逐漸在高鐵、電動車、電網、行動通訊、衛星通訊等高功率與高頻應用中嶄露頭角，填補過去矽（Silicon, Si）功率元件與砷化鎵（Gallium Arsenide, GaAs）通訊元件難以
03月01日, 2023
潛力高於SiC數倍－氧化鎵2023邁入實用階段
有望取代碳化矽的氧化鎵材料 由於碳化矽（SiC）具有能在大電流、高耐壓條件下運作的優點，將有望在未來的功率半導體中位居主導角色。碳化矽已逐漸普及至多個領域，例如電動車（Electric Vehicle, EV）、鐵路和太陽能發電逆變器等領域。然而，現在已出現了一些有機會取代碳化矽的新方案，其中之一是氧化鎵（Ga2O3）材料（見圖一）。 使用氧化鎵的功率半導體元件，是有望取代碳化矽的「超寬能
專書
第三代半導體發展趨勢暨國際動態觀測
08月22日, 2024
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05
12月
【MIC Insight】共建數位信任生態系MOU簽署研究合作暨發表會
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