前言

在全球行動運算與AI手機需求急遽攀升下,行動DRAM的技術演進正由「省電導向」轉向「高頻寬×低延遲×AI推論效率」的全新格局。近期行動DRAM價格之所以急漲,核心原因在於三星、SK Hynix、美光大量將產能轉向高毛利HBM,造成DDR/LPDDR供給明顯吃緊,使市場缺口持續擴大。在此背景下,LPDDR6與PIM的到來不僅象徵技術升級,也讓「行動+AI」成為記憶體市場新一輪競爭主軸。

目錄
    記憶體技術演進:從低功耗到高速行動
    主要業者行動DRAM發展觀察
    結論
圖目錄
    圖一、記憶體四大類型說明(DDR、LPDDR、GDDR、HBM)
    圖二、LPDDR6進一步強調行動與AI結合的可能
    圖三、PIM、NMC/PNM的架構與商業布局
表目錄
    表一、DRAM記憶體的四大類型比較
    表二、LPDDR規格演進
    表三、中系手機品牌對記憶體漲價的回應
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