Rapidus正致力於開發下一代電晶體結構，包括2027年達成2奈米世代的環繞式閘極（GAA）電晶體量產，以及於2030年代生產1奈米世代的互補式場效電晶體（CFET）。新一代的叉型片和CFET，將進一步推動電晶體的微型化和積體化，但需要先進的蝕刻設備和控制技術。這些先進的電晶體結構，能夠降低成本、節省能源、提高運作速度和機能，期許有朝一日實現真正的終極電晶體「原子CFET」。