GaN研究蓬勃發展-挑戰高頻、高耐壓功率半導體
  • 900
  • 出版日期
    03月09日, 2023
  • 作者
    NIKKEI ELECTRONICS
前言

將GaN用於功率半導體元件,具有獨特的水平結構和卓越性能。因此近年來,GaN元件的各方面研究非常活躍,例如混合鋁元素、垂直型元件等。傳統上認為「高耐壓採用SiC,低耐壓採用GaN」的區分原則,往後將不再適用。未來,GaN有望普及至各個應用領域,特別是在汽車和可再生能源等高耐壓情境,以及成為6G技術中處理高功率、高頻率設備的關鍵材料。

目錄
    GaN家族發展的兩個階段
    低成本製造AlGaN HEMT的方法
    實現高密度二維電子氣
    英飛凌對垂直型元件抱持觀望態度
    附錄
圖目錄
    圖一、垂直型GaN是AlGaN的競爭對手嗎?
    圖二、已成功開發成本低廉、低電阻特性的AlGaN元件
    圖三、Al含量達80%的AlGaN具有最佳特性
    圖四、N極性AlN/GaN HEMT適合應用於6G和小型化電源產品
    圖五、日本企業在垂直型GaN元件方面具有優勢
    圖六、AlGaN的多種用途正投入開發中
表目錄
推薦報告
  • 以上研究報告資料係經由MIC內部整理分析所得,並對外公告之研究成果, 由於產業倍速變動、資訊的不完整,及其他不確定之因素,並不保證上述報告於未來仍維持正確與完整, 引用時請注意發佈日期,及立論之假設或當時情境,如有修正、調整之必要,MIC將於日後研究報告中說明。 敬請參考MIC網站公告之最新結果。
  • 著作權所有,非經本會書面同意,不得翻印或轉讓。
  • BACK
    評論此篇報告
    您的評論已送出
    我們會竭誠盡快地回覆您。
    分享此篇報告
    Facebook
    Line
    複製連結
    登入
    正式會員第一次使用,請輸入會員編號/會員密碼/Email,系統會偵測第一次使用,註冊/認證之後,即可上線使用

    不是會員?

    邀請您申請免費試閱聯絡我們