DRAM細微化已逐漸邁入極限，未來電晶體電流通道將改為垂直結構或朝3D-DRAM發展，而以IGZO為代表的氧化物半導體，由於和半導體3D化技術具有極佳相容性，而成為次世代記憶體材料首選。本文觀察VLSI 2025各廠商與學研團隊，相繼發表的應用研究，解析IGZO實現次世代記憶體的研發動向，提供產業參考。