砷化鎵是三五族半導體中發展相對成熟的化合物半導體材料，特性包含具備高電子遷移率、寬能隙、發光效率高、支持高頻、低雜訊、高效率及低耗電等。涉及的應用領域除了作為LED、雷射光元件、太陽能光電元件外，最主要的應用為通訊射頻領域，尤其用於高速、高頻射頻元件。雖然砷化鎵應用於射頻領域由來已久，但從專利觀察發現，近5年累積申請狀態逐漸成長。本報告將針對砷化鎵應用於射頻領域近20年之專利申請狀態，觀察前三大專利權人之專利申請，進一步分析其布局。