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09月30日, 2022
寬能隙功率半導體促進淨零碳目標之實現
寬能隙功率半導體的興起 半導體元件包含積體電路、分離式元件、光電元件、微波元件、感測元件等。其中和電源、電力控制應用有關的半導體元件稱為功率半導體元件（power semiconductor device），依應用需求不同分為二大類：功率積體電路（Power IC），如電源管理IC，多用於訊息傳送和處理，電壓低、輸出電流小，故功率較小；分離式功率元件（Discrete Power
08月31日, 2023
寬能隙半導體之減碳效益與應用發展觀測
寬能隙半導體可提升風光發電效益 寬能隙半導體（Wide Band Gap, WBG）也稱「第三代半導體」，如「碳化矽」（SiC）和「氮化鎵」（GaN）等均屬此類，其高能效與耐高溫高壓之特性，有助於減少電力轉換過程中之能源耗損，如應用於發電設備，則可提升發電輸出量。4E TCP（Technology Collaboration Programme on Energy Efficient End
08月31日, 2022
中國大陸寬能隙半導體氮化鎵主要廠商發展分析及對台商的影響
中國大陸於政策上持續加碼寬能隙半導體 十四五規劃中明確提出SiC、GaN寬能隙半導體發展計畫 2021年3月，中國大陸政府在其十四五規劃和2035年遠景目標綱要中，有關半導體領域，明確提出要發展碳化矽、氮化鎵等相關寬能隙半導體產業，工信部、科技部等相關部會亦提出相關的施行細則，期望推動支持其國內第三代半導體產業發展。 以2021年12月科技部提出之《科技部關於發布國家重點研發計劃-新型顯
專書
第三代半導體發展趨勢暨國際動態觀測
08月22日, 2024
定價
$10900
元
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05
12月
【MIC Insight】共建數位信任生態系MOU簽署研究合作暨發表會
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