台積電聚焦運用內嵌式STT-MRAM,另SOT-MRAM技術基礎已經確立
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  • 出版日期
    02月26日, 2026
  • 作者
    NIKKEI ELECTRONICS
前言

業界開始正式運用STT-MRAM作為晶片內嵌式記憶體,從穿戴式裝置逐步擴大應用至產業用微控制器、車載用微控制器、AI邊緣終端裝置等領域,不久的將來也將作為彌補DRAM不足的大容量記憶體使用。此外,超低耗電且超高速的SOT-MRAM實用化前景同樣逐漸明朗。

目錄
    STT-MRAM正改寫記憶體技術版圖
    SOT-MRAM力圖替代SRAM
    附錄
圖目錄
    圖一、超低耗電量且耐宇宙射線
    圖二、穿戴式終端裝置陸續搭載內嵌STT-MRAM的微控制器
    圖三、eMRAM眾多特性都優於eFlash
    圖四、使用MRAM之AI晶片影像辨識耗電量僅約1/30
    圖五、Samsung試產14奈米製程STT-MRAM,也可望用於8奈米、5奈米製程
    圖六、Kioxia發表記憶容量64Gbit的STT-MRAM,以交叉開關矩陣結構試產
    圖七、SOT-MRAM有3個操作電極,記錄密度較低,但可實現較高速操作
    圖八、2020年以300mm晶圓試產SOT-MRAM
    圖九、「無通道製程」,良率超過99.9%
    圖十、將SFA配置在記錄層下方,寫入錯誤率降低至10-6以下
表目錄
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