揮發性（Volatile）記憶體—SRAM、DRAM為半導體主要記憶體，但目前面臨蛻變時期。SRAM的課題在於晶片中面積占比偏高，透過運用CFET雙層化，可望提升儲存密度。DRAM則面臨微縮極限，透過改用氧化銦鎵鋅（Indium Gallium Zinc Oxide, IGZO）材料為基底製作電晶體，同樣可望脫胎換骨。