半導體微型化持續發展,目標為「終極電晶體」CFET
  • 863
  • 出版日期
    06月30日, 2023
  • 作者
    NIKKEI XTECH
前言

Rapidus正致力於開發下一代電晶體結構,包括2027年達成2奈米世代的環繞式閘極(GAA)電晶體量產,以及於2030年代生產1奈米世代的互補式場效電晶體(CFET)。新一代的叉型片和CFET,將進一步推動電晶體的微型化和積體化,但需要先進的蝕刻設備和控制技術。這些先進的電晶體結構,能夠降低成本、節省能源、提高運作速度和機能,期許有朝一日實現真正的終極電晶體「原子CFET」。

目錄
    展望GAA與CFET的Rapidus
    自1奈米世代開始的新趨勢
    超越GAA的叉型片技術
    叉型片中的「絕緣膜」製造較為困難
    CFET為「終極電晶體」結構
    CFET的挑戰在於「垂直方向的製程」
    CFET的製造方法有兩種候選方案
    「下下下一代」將是原子級別的CFET
    附錄
圖目錄
    圖一、奈米片延續GAA結構,自叉型片起主要關注於積體化
    圖二、imec發表的電晶體發展路線圖
    圖三、目前先進邏輯半導體主流結構為「FinFET」
    圖四、主要晶圓代工廠正轉向量產「GAA奈米片」
    圖五、外觀呈分叉狀的「叉型片」
    圖六、具有上下堆疊結構特徵的CFET
    圖七、兩種CFET製造方法各有優缺點
表目錄
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