NAND Flash記憶體面臨1,000層極限,融合FeRAM可望更上一層樓
  • 156
  • 出版日期
    01月30日, 2026
  • 作者
    NIKKEI ELECTRONICS
前言

NAND Flash記憶體是市場規模逼近DRAM的唯一非揮發性記憶體,但過去成功推動的多層化近來面臨技術極限。課題因應對策中逐漸蔚為潮流的是與鐵電隨機存取記憶體(FeRAM)融合,鐵電版本的NAND Flash記憶體也可望應用於人工智慧(AI)用處理器。

目錄
    NAND Flash約40年間成本持續下降
    超越1,000層的多層化前景堪慮
    需要嶄新資訊儲存技術
    樑柱、地板角色互換
    儲存密度成為3倍的2F2
    嶄新鐵電材料成為矚目焦點
    可望取代DRAM
    微縮可能導致性能差異?
    Micron宣布從FeRAM領域撤退
    FeRAM與NAND融合後更上一層樓
    3D NAND型也確保MW
    透過電容器結構確保寬MW
    實現256值的「類比」CIM
    附錄
圖目錄
    圖一、3D NAND Flash記憶體面臨多層化極限
    圖二、Kioxia將位元線通道及字元線顛倒配置
    圖三、歷經約10年空白期後,FeRAM將重回戰線?
    圖四、Sony Semiconductor Solutions推動FeRAM開發
    圖五、Micron挑戰以FeRAM取代DRAM,但未能成功
    圖六、從電荷陷阱改用鐵電材料
    圖七、引進電容器結構,MW加寬為14.3V
表目錄
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