穿戴與車用需求激增,台積電與瑞薩強攻STT-MRAM市場
  • 67
  • 出版日期
    03月31日, 2025
  • 作者
    NIKKEI XTECH
前言

磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)正在逐步取代嵌入式快閃記憶體(eFlash),此變化已重塑了全球記憶體產業的格局。MRAM因其高效與節能特性,在可穿戴裝置和物聯網(IoT)應用中迅速普及,並在車載邊緣人工智慧(AI)和軟體定義汽車(SDV)中扮演至關重要的角色。隨著技術在製程、容量以及讀寫速度方面的持續進步,MRAM有望在不久的將來進一步取代DRAM。

目錄
    備受關注的MRAM技術
    MRAM在穿戴式裝置中快速普及
    龍頭代工廠皆可生產STT-MRAM
    車載嵌入式MRAM將轉向至SDV
    能量消耗僅為eFlash的1/30
    三星電子在寫入時間上面臨挑戰
    是否可應用於8奈米、5奈米世代?
    鎧俠在容量方面超越DRAM
    替代DRAM不再是夢想
    可讀取次數是否面臨挑戰?
    附錄
圖目錄
    圖一、具超低能量消耗與抗宇宙射線能力的MRAM產品
    圖二、搭載MRAM的高續航力穿戴式裝置
    圖三、MRAM在各種方面皆超越eFlash技術
    圖四、MRAM能量消耗可降低至1/30
    圖五、三星發表面向車載應用的14奈米世代STT-MRAM 原型
    圖六、鎧俠發表採用交叉點結構的64Gb大容量MRAM
表目錄
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