寬能隙半導體（Wide Band Gap, WBG）也稱「第三代半導體」，如「碳化矽」（SiC）和「氮化鎵」（GaN）等均屬此類，其高能效、耐高溫高壓之特性，有助於減少電力轉換過程中之能源耗損，故有助於提升再生能源發電效率。本文依據國際能源署（International Energy Agency, IEA）推估之2050年全球風力和太陽光電發電量，估算採用寬能隙半導體可能帶來之節能潛力（亦可視為提升發電潛力），並探討先進國家投入寬能隙半導體技術對開發中國家再生能源發展之間接助益。