作為替代碳化矽的下一代「超寬能隙半導體」材料中，使用氧化鎵的功率半導體元件是工業化腳步最快的選項之一。相對於碳化矽，氧化鎵具有更強的耐壓性能，理論上的製造成本更低，受到中美兩國的軍事機構密切關注，甚至列為國家重點管制目標。經日本業界評估，氧化鎵具有數倍於碳化矽的市場潛力，將於2023年開始應用在消費型電源產品中，並期許於2030年進入車載電子市場。