利用電子自旋的磁化方向來儲存資訊的MRAM，終於逐漸邁向實用化。其目標在於取代嵌入式快閃記憶體（eFlash），以及揮發性的SRMA、DRAM等傳統記憶體。MRAM最大的特色，在於可將耗電量降至1/100、甚至1/1000的超凡節能省電功效。今後在電腦、IoT終端乃至於AI晶片領域，將會掀起巨大的變化。