記憶體技術進化,SRAM、DRAM、NAND Flash也面臨變革
  • 21
  • 出版日期
    01月28日, 2026
  • 作者
    NIKKEI ELECTRONICS
前言

現有SRAM、DRAM、NAND Flash記憶體過去支撐電腦發展,但面臨製程微縮、多層化堆疊瓶頸,為了更上一層樓,必須推動技術革新。同時,新記憶體也已進入正式實用化階段,MRAM、ReRAM領先一步,FeRAM急起直追。NAND Flash、FeRAM一旦融合,也有可能後來居上,一躍成為最先進技術。

目錄
    SRAM、DRAM面臨技術變革
    新興記憶體發展趨勢
    附錄
圖目錄
    圖一、SRAM、DRAM應用趨勢
    圖二、Optane失敗導致新興記憶體市場規模重新洗牌
    圖三、嵌入式非揮發性記憶體ReRAM、MRAM正面競爭
    圖四、MRAM從2020年代後半起急速成長
    圖五、2030年用途別記憶體技術應用預測
表目錄
    表一、各記憶體技術比較
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