成功指日可待,豐田合成的氮化鎵基板量產之路
  • 551
  • 出版日期
    11月30日, 2022
  • 作者
    NIKKEI ELECTRONICS
前言

豐田合成近期與大阪大學合作,成功生產了6英吋的大型氮化鎵基板。這項成果可用來開發縱向型氮化鎵元件,適用於大功率、小型化的廣泛應用情境,是目前各產業在電氣化發展中,密切關注的半導體材料。豐田合成認為,這次開發的成果可證明,氮化鎵基板走入量產的成功之路已近在眼前。

目錄
    各產業眾所期待的氮化鎵基板
    氮化鎵在物理性能上超越現有材料
    從氮化鎵微晶體中生長
    藉由提供氮化鎵晶種基板降低製造成本
    附錄
圖目錄
    圖一、豐田合成的目標是GaN on GaN
    圖二、使用氮化鎵與碳化矽突破現有功率半導體的限制
    圖三、縱向型與橫向型氮化鎵元件的比較
    圖四、應用LED量產技術形成氮化鎵單晶體
    圖五、研磨拋光前的6英吋氮化鎵晶種基板
    圖六、氮化鎵晶體的生長設備
表目錄
推薦報告
  • 以上研究報告資料係經由MIC內部整理分析所得,並對外公告之研究成果, 由於產業倍速變動、資訊的不完整,及其他不確定之因素,並不保證上述報告於未來仍維持正確與完整, 引用時請注意發佈日期,及立論之假設或當時情境,如有修正、調整之必要,MIC將於日後研究報告中說明。 敬請參考MIC網站公告之最新結果。
  • 著作權所有,非經本會書面同意,不得翻印或轉讓。
  • BACK
    評論此篇報告
    您的評論已送出
    我們會竭誠盡快地回覆您。
    分享此篇報告
    Facebook
    Line
    複製連結
    登入
    正式會員第一次使用,請輸入會員編號/會員密碼/Email,系統會偵測第一次使用,註冊/認證之後,即可上線使用

    不是會員?

    邀請您申請免費試閱聯絡我們