使用SIC磊晶所製造的蕭特基二極體具備更耐壓且高速開關等優良的特性，並在溫度、化學、以及機械等各類不同環境的穩定度高，為功率半導體未來發展的主要議題之一，本文將以採用SiC做為材料的蕭特基二極體（Schottky Barrier Diode, SBD）離散產品為對象，探討其發展現況及未來的成長趨勢。