通訊晶片之6G太赫茲技術發展分析
  • 740
  • 出版日期
    07月29日, 2022
  • 作者
前言

面對B5G/6G即將在2030年商轉,國際標準組織、手機廠商、晶片商與電信營運廠開始探討B5G/6G技術規格與架構發展,例如6G太赫茲技術(Terahertz,THz)。在發展6G技術中,學界及研究單位紛紛指出THz是其中最重要的一個技術,其頻率在0.1~10THz間,可以有效的大幅提高傳輸速率,然而也有許多困難、挑戰待克服。本文將扼要說明相關技術,並以主要通訊晶片廠商就此發展及布局進行探討。

目錄
    行動通訊技術演進與6G規格
    通訊晶片之6G太赫茲技術需求
    通訊晶片大廠之6G太赫茲技術研發布局
    結論
    附錄
圖目錄
    圖一、技術演化:10年一小變,20年一大變
    圖二、6G全覆蓋通訊服務
    圖三、太赫茲頻譜(0.1~10THz)
    圖四、太赫茲所需技術整理
    圖五、Massive MIMO示意圖
    圖六、波束成形示意圖
    圖七、錯誤更正碼概念示意圖
    圖八、調變多工概念示意圖
    圖九、不同半導體材料的功率放大器與頻率關係
    圖十、電漿子光電導太赫茲
    圖十二、晶片大廠背景說明
    圖十三、光電導的太赫茲源
    圖十四、高通AiP晶片與MD晶片
    圖十五、16通道140 GHz相位陣列模組
    圖十六、東南大學華為簽約與紫金山實驗室
    圖十七、NOMA與波束成型
    圖十八、太赫茲技術的整合、成熟度
表目錄
    表一、6G需求指標
    表二、半導體材料元件對照
    表三、AP/MD/RF主要廠商
    表四、通訊晶片商的太赫茲技術統整
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