2017年世界移動通訊大會(MWC) 2月底在西班牙巴塞隆納盛大展開，一如預期5G議題仍是大會中的重要焦點，晶片大廠Qualcomm、Intel等相繼推出了5G晶片，針對5G的開發測試平台也在早期場域實測的需求下應運而生。

從各大業者展出的5G晶片觀察，在當前由於通訊技術規格尚未底定，使得編解碼核心的modem仍多以4G技術為基礎加入部分先進通道編碼等設計，而在未來5G的傳輸速度傳輸資料量皆大幅提升的趨勢下，將帶動RF晶片朝向高頻高功率發展，具備寬能隙材料特性的III-V族化合物將有望克服高頻率高功率狀態下電場崩潰的技術瓶頸，長期將驅動半導體III-V族製程技術發展。