全球主要國家第三類半導體SiC政策分析
  • 287
  • 出版日期
    12月21日, 2023
  • 作者
導論

近年來第三類半導體碳化矽(Silicon carbide, SiC)備受市場討論,主要在於其所能承受之電壓與溫度較高、電源轉換效率更好、高頻傳輸效率更佳,可應用於電動車、再生能源、光電、衛星通訊、國防、軍事等領域;再加上,SiC材料取得不易,上游關鍵長晶料源被各國視為重要戰略物資,全球主要國家趨之若鶩,紛紛在國際局勢動盪的今日,於半導體國家戰略基礎上發展第三類半導體產業。

目錄
    美國SiC產業政策研析
    歐盟SiC產業政策研析
    日、韓SiC產業政策研析
    中國大陸SiC產業政策研析
    主要國家SiC政策發展方向比較
    結論
    附錄
圖目錄
    圖一、全球主要國家SiC政策比較
表目錄
    表一、美國2000-2020年針對SiC產業提出的相關政策
    表二、獲CIRCUITS計畫補助之大專院校名單與研究內容
    表三、美國2021-2023年針對SiC產業提出的相關政策
    表四、歐盟2000-2020年針對SiC產業提出的相關政策
    表五、歐盟2021-2023年針對SiC產業提出的相關政策
    表六、日本1998-2020年針對SiC產業提出的相關政策
    表七、日本2021-2023年針對SiC產業提出的相關政策
    表八、韓國2000-2020年針對SiC產業提出的相關政策
    表九、韓國2021-2023年針對SiC產業提出的相關政策
    表十、中國大陸2004-2016年針對SiC產業提出的相關政策
    表十一、中國大陸2017-2020年針對SiC產業提出的相關政策
    表十二、中國大陸2021-2023年針對SiC產業提出的相關政策
    表十三、中國大陸「新型顯示與戰略性電子材料」重點SiC相關支持措施
    表十四、中國大陸SiC領域部分大專院校研究情況
    表十五、中國大陸SiC重點研究機構科研情形
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